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今年第二季度以来,DRAM内存与NAND闪存价格迅速下跌,第四季度依然没有止跌,甚至有消息称,NAND闪存将跌破制造成本。这使得存储大厂三星、SK海力士、美光、铠侠等的业绩波动巨大,厂商纷纷祭出减产或放缓投资等紧急举措应对市场变化。不过三星或有意反其道而行。
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近日,集邦咨询发布报告预测,由于卖方库存压力沉重,第三季度全球NAND闪存晶圆合约价跌幅将扩大至30%~35%。如此大幅度的下跌必将引发NAND闪存市场格局的变化加深。未来,部分厂商采取减产动作的可能性也进一步提升。持续的下行市场甚至有可能引发NAND闪存行业展开新一轮的整并潮。
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摘要:2021年,全球存储器市场先扬后抑,前三个季度内存价格一路攀升,第四季度却转为供过于求,价格开始下跌。2022年,随着三大原厂对EUV的应用将进一步增加,DRAM的成本构成逐步改变,NAND闪存也将进入172层时代,存储器的市场形态或将展现出一些新的特征。
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目前原厂进入3D NAND时代,64层3D技术产出大增且96层3D技术将进一步提高产量。由于原厂之间竞争加剧,产能由扩产变减产,预计2019年存储密度增长率将下滑。我国存储产业落后,国家大力支持存储产业的发展,国内企业投资、建厂动作不断。
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